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01
反應燒結碳化硅
由細顆粒α-SiC和添加劑壓制成素坯,在高溫下與液態硅接觸,坯體中的碳與滲入的Si反應,生成β-SiC,并與α-SiC相結合,游離硅填充了氣孔,從而得到高致密性的陶瓷材料; -
02
無壓燒結碳化硅
以高純、超細碳化硅粉為原料,加入少量的燒結助劑,如硼、碳等,在大氣壓的惰性氣體或真空氣氛中,1950~2100℃高溫下燒結,所得制品幾乎完全致密,具有優良力學性能的陶瓷材料。特別適合于耐磨、耐腐蝕和耐高溫等工況條件下使用; -
03
無壓燒結碳化硅加碳
在無壓燒結SiC的基礎上添加微細石墨顆粒經高溫燒結而成的。無壓燒結碳化硅加碳具有原來無壓碳化硅耐強腐蝕性、耐磨性、高溫穩定性等性能,加入碳后增加了自潤滑性和降低摩擦系數,更適用于瞬間干摩擦和長期半干摩擦的工況條件; -
04
無壓燒結碳化硅加微孔
是通過在燒結過程中形成均勻分布而且獨立的互不連通的球形微孔,充當了流體或潤滑劑的儲存體,幫助促進在摩擦界面保持液體膜,減少摩擦面的摩擦熱度,進一步提高了摩擦性能。應用于瞬間干摩擦和長期半干摩擦的工況條件下使用;